Fr 26. Sep 10:59:59 CEST 2025/EECA_JIS_20250917.txt

# (C) David Vajda
# components excersize ... EECA/JIS
# 2025-09-17

 D: nicht keramik, halbleiterverbundsmaterial...

 AD: Germanium NF-Leistungstransistor
CA: Gallium-Arsenid Diode
RC: halbleiterverbundsmaterial NF-LeistungsTransistor
CD: Gallium-Arsenid NF-Leistungstransistor
AA: Germanium Diode
DF: indium-Arsenid HF-Transistor
AF: Germanium HF-Transistor
BF: Silicium HF-Transistor
RD: halbleiterverbundsmaterial NF-Leistungstransistor
AB: Germanium Kapazitaetsdiode
BA: Silicium Diode
CC: Germanium-Arsenid NF-Transistor
RF: halbleiterverbundsmaterial HF-Transistor
DD: Gallium-Arsenid NF-Leistungstransistor
CD: Silicium NF-Leistungstransistor
DA: Gallium-Arsenid Diode
BF: Silicium HF-Transistor
CC: Germanium-Arsenid Germanium-arsenid
BD BE DD DA RA AD AD DC AD DA DC CA CB CF DC RE DB CE DC DF RB BA AD AF AE CC DC DA BF DF BF DA RD AD AB CE CB DD BA RA CA CA RF DA CD AC

JEDEC

EECAExerciseMi 17. Sep 15:15:03 CEST 2025.out.txt
 3J 1B 0K 2  2J 0  4A 3C 3K 1C 1C 4K 3J 4K 3B 2K 3B 1C 2K 2D 4A 1A 0B 0A 3D 0J 3  1K 2K 3A 3C 3B 2A 4J 0  4K 0  3  1J 4B 1  0B 1  1A 3B 0  1D 1K 4C 1D 2A 2K 2  4  3D 4A 0  1B 3D 0C 1K 2J 2B 2B