CE
OE
WE
COW
Chip Enable
Output Enable
Write Enable
CS - Chip Select
CE
OE
WE
CS = CE
VCC
VPP
D7 .. D0
A15 .. A0
/CE
/OE
/WE
NC
/PGM
NC - Not Connected
D15 .. D0
A11 .. A0
A7 .. A0
Elemente
E15 .. E0
Zeilendekoder
Spaltendekoder
X-Dekoder
Y-Dekoder
Address-Latch/Puffer
Zeilenleitung
Spaltenleitung
Schreib-Leseverst"arker
Gedachter, Speicher:
Matrixspeicher
E15 .. E0
A3, A2: Zeile
A1, A0: Spalte
Ausgangsverst"arker
27010
27.11
27.12
27513
27512
oder so
PLHS18P8
CAM - Content Addressable Memory
Matrixsspeicher
Tabellenspeicher
Festwertspeicher
ROM
MPROM
EPROM
PROM
EEPROM
Flash-EPROM
PLD - Funktionsspeicher
GAL
PLA
PAL
Assoziativspeicher:
Tag
Datum
FG-MOSFET
Source, Drain, Gate, Bulk
Viereckigen Block. An der oberen Kante, zwischen Mitte und Links und Mitte und Rechts, ist ein anders herum dotierter Halbleiter eingebracht. Auf der Mitte sitzen zwei noch mal isolierte anders herum isolierte Halbleiter
im oberster wird es eingespocher. Floating Gate
active low
active high
active low
active high
active low
active high
active low
active high
negative edge triggerd
negative edge triggerd
negative edge triggerd
negative edge triggerd
active low
active high
negative edge triggered
active low
active high
negative edge triggered
tristate
active low
active high
negative edge triggered
input/output
input/output
input/output
read/write
read/write
read/write
read/write
output: tristate
output: tristate
output: tristate
active low
active high
negative edge triggered
active low
active high
negative edge triggerd
read/write
read/write
read/write
read/write
active low
active high
negative edge triggerd
tristate: output
active low
active high
negative edge triggered
tristate output
input/output
read/write
input/output
read/write
input/output
read/write
27210
27010
27210
27010
27210
27010
27011
27011
27011
27011
27010
27011
27010
27011
27010 27010 27010 27010
27011 27011 27011 27011
27210 27210 27210 27210
27512
27512
27512
27513
27513
27513
|